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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.909593
10
¥1.801506
100
¥1.699531
500
¥1.603332
1000
¥1.512577
ON Semiconductor NSVBC850CLT1G
- 收藏
- 对比
NSVBC850CLT1G
1807-NSVBC850CLT1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS NPN BIPOLAR 45V SOT23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSVBC850CLT1G详情
ON Semiconductor NSVBC850CLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
225mW
功率 - 最大
225mW
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
600mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 100mA
频率转换
100MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSVBC850CLT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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