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1

￥1.979836
10

￥1.867773
100

￥1.76205
500

￥1.662305
1000

￥1.568213

ON Semiconductor NSVBC857BLT3G

Name: NSVBC857BLT3G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVBC857BLT3G
Price: 1.98 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSVBC857BLT3G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVBC857BLT3G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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NSVBC857BLT3G ON Semiconductor Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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NSVBC857BLT3G详情

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ON Semiconductor NSVBC857BLT3G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间

4 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V
Number of Elements

1
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2005
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

225mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
参考标准

AEC-Q101
配置

SINGLE
功率 - 最大

225mW
极性/通道类型

PNP
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

650mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA 5V
最大集极截止电流

15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA
转换频率

100MHz
频率转换

100MHz
集电极基极电压(VCBO)

50V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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NSVBC857BLT3G拓展信息

热销零件