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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.342186
10
¥3.153007
100
¥2.974529
500
¥2.806161
1000
¥2.647327
ON Semiconductor NSVBCP69T1G
- 收藏
- 对比
NSVBCP69T1G
1807-NSVBCP69T1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Trans GP BJT PNP 20V 1A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSVBCP69T1G详情
ON Semiconductor NSVBCP69T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
1.5W
引脚数量
4
配置
Single
功率 - 最大
1.5W
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
85 @ 500mA 1V
最大集极截止电流
10μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 100mA, 1A
频率转换
60MHz
集电极基极电压(VCBO)
25V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSVBCP69T1G拓展信息
ON Semiconductor
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