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1

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10

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100

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500

￥3.293721
1000

￥3.107283

ON Semiconductor NSVMMBD354LT1G

Name: NSVMMBD354LT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVMMBD354LT1G
Price: 3.92 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSVMMBD354LT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVMMBD354LT1G

商品类别

二极管 - 射频

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON Semi NSVMMBD354LT1G; Dual SMT RF Mixer Diode; Common Cathode; 3-Pin SOT-23

起订量

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NSVMMBD354LT1G ON Semiconductor ON Semi NSVMMBD354LT1G; Dual SMT RF Mixer Diode; Common Cathode; 3-Pin SOT-23

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NSVMMBD354LT1G详情

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型号对比

ON Semiconductor NSVMMBD354LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)
工厂交货时间

2 Weeks
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装

YES
引脚数

3
二极管元件材料

SILICON
Power Dissipation (Max)

300mW
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2009
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
HTS代码

8541.10.00.60
基本部件号

MMBD354
引脚数量

3
元素配置

共阴极
二极管类型

Schottky - 1 Pair Common Cathode
最大反向漏电电流

250nA
无卤素

无卤素
峰值反向电流

10μA
最大重复反向电压(Vrrm)

7V
电容@Vr, F

1pF @ 0V 1MHz
高度

1.01mm
长度

3.04mm
宽度

1.4mm
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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NSVMMBD354LT1G拓展信息

热销零件