ON Semiconductor NTHC5513T1

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

33 ns

Number of Elements

2

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.9A 2.2A

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

1.1W

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

3.1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

NTHC5513

引脚数量

8

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.1W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 2.9A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

180pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4nC @ 4.5V

上升时间

13ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2.2A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.1A

漏源击穿电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅