ON Semiconductor NTHD4N02FT1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.9A Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

910mW Tj

Turn Off Delay Time

10 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

20V

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2.7A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

910mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 2.9A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

300pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4nC @ 4.5V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

3.9A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.9A

漏源击穿电压

20V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

反馈上限-最大值 (Crss)

50 pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅