ON Semiconductor NTJD4001NT1
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NTJD4001NT1
1807-NTJD4001NT1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
--最小包装量--
NTJD4001NT1详情
ON Semiconductor NTJD4001NT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 22 hours ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
94 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn80Pb20)
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
272mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
250mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
资历状况
不合格
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
272mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5 Ω @ 10mA, 4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
33pF @ 5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.3nC @ 5V
上升时间
23ns
下降时间(典型值)
23 ns
连续放电电流(ID)
250mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.25A
漏极-源极导通最大电阻
2.5Ohm
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
反馈上限-最大值 (Crss)
12 pF
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
NTJD4001NT1拓展信息








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