ON Semiconductor NTJD4105CT4G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

630mA 775mA

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

270mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

630mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NTJD4105C

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

270mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

375m Ω @ 630mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

46pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3nC @ 4.5V

上升时间

23ns

漏源电压 (Vdss)

20V 8V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

36 ns

连续放电电流(ID)

775mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.375Ohm

漏源击穿电压

-8V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅