ON Semiconductor NTJD4401NT4G
- 收藏
- 对比
NTJD4401NT4G
1807-NTJD4401NT4G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
--最小包装量--
NTJD4401NT4G详情
ON Semiconductor NTJD4401NT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
786 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
270mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
775mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NTJD4401N
引脚数量
6
资历状况
不合格
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
270mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
375m Ω @ 630mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
46pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3nC @ 4.5V
上升时间
227ns
下降时间(典型值)
227 ns
连续放电电流(ID)
630mA
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.375Ohm
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NTJD4401NT4G拓展信息








哦! 它是空的。