ON Semiconductor NTMFD5C674NLT1G
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NTMFD5C674NLT1G
1807-NTMFD5C674NLT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
大陆
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T6 60V LL S08FL DS
--最小包装量--
NTMFD5C674NLT1G详情
ON Semiconductor NTMFD5C674NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
48 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A Ta 42A Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
功率 - 最大
3W Ta 37W Tc
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
14.4m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
640pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
场效应管特性
Standard
RoHS状态
符合RoHS标准
NTMFD5C674NLT1G拓展信息








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