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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥14.403312
10
¥13.588031
100
¥12.818894
500
¥12.093298
1000
¥11.40877
ON Semiconductor NTMFD6H852NLT1G
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- 对比
NTMFD6H852NLT1G
1807-NTMFD6H852NLT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET N-CH 80V 8DFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTMFD6H852NLT1G详情
ON Semiconductor NTMFD6H852NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
48 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
295mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
功率 - 最大
250mW Ta
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
26pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
80V
RoHS状态
符合RoHS标准
NTMFD6H852NLT1G拓展信息







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