NTMFD6H852NLT1G
NTMFD6H852NLT1G

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ON Semiconductor NTMFD6H852NLT1G

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型号

NTMFD6H852NLT1G

utmel 编号

1807-NTMFD6H852NLT1G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 80V 8DFN

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NTMFD6H852NLT1G
NTMFD6H852NLT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 8DFN

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NTMFD6H852NLT1G详情

ON Semiconductor NTMFD6H852NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    48 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    295mA

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 功率 - 最大

    250mW Ta

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.6 Ω @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    26pF @ 20V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    5nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    80V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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技术文档: ON Semiconductor NTMFD6H852NLT1G.

NTMFD6H852NLT1G拓展信息

FDG6301N
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ON Semiconductor

NDC7001C
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FDS4935BZ
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FDC6303N
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FDC6301N
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FDC6333C
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FDG8850NZ
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