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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥28.85312
10
¥27.219925
100
¥25.679173
500
¥24.225632
1000
¥22.85437
ON Semiconductor NTMFS4933NT3G
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- 对比
NTMFS4933NT3G
1807-NTMFS4933NT3G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN, 5 Leads
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MOSFET NFET SO8FL 30V 232A 1.5MO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTMFS4933NT3G详情
ON Semiconductor NTMFS4933NT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN, 5 Leads
表面安装
YES
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A Ta 210A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.06W Ta 104W Tc
Turn Off Delay Time
47 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.74W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
31 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10930pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
62.1nC @ 4.5V
上升时间
33ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
23 ns
连续放电电流(ID)
43A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
20A
漏极-源极导通最大电阻
0.002Ohm
漏源击穿电压
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTMFS4933NT3G拓展信息
ON Semiconductor
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