ON Semiconductor NTQD4154ZR2

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

1.52W

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

7.5A

基本部件号

NTQD4154Z

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19m Ω @ 7.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1485pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21.5nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

连续放电电流(ID)

7.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.019Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅