ON Semiconductor NVMFD5C462NLT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

48 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Ta 84A Tc

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

3W Ta 50W Tc

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.7m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 40μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

40V

漏极-源极导通最大电阻

0.0077Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

311A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

174 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50W

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant