ON Semiconductor NVMFD5C672NLT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

48 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta 49A Tc

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-F6

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

功率 - 最大

3.1W Ta 45W Tc

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.9m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 30μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

793pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.7nC @ 4.5V

连续放电电流(ID)

11A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0168Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

146A

雪崩能量等级（Eas）

66 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

175°C

场效应管特性

Standard

高度

1.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant