NVMFS5C646NLT1G
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ON Semiconductor NVMFS5C646NLT1G

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型号

NVMFS5C646NLT1G

utmel 编号

1807-NVMFS5C646NLT1G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH

起订量

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NVMFS5C646NLT1G
NVMFS5C646NLT1G ON Semiconductor MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH

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NVMFS5C646NLT1G详情

ON Semiconductor NVMFS5C646NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    38 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 引脚数

    8

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    20A Ta 93A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    3.7W Ta 79W Tc

  • Turn Off Delay Time

    23.6 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2014

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 配置

    Single

  • 通道数量

    1

  • 接通延迟时间

    10.4 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    4.7m Ω @ 50A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2164pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    33.7nC @ 10V

  • 上升时间

    14.9ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    5.1 ns

  • 连续放电电流(ID)

    93A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    60V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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