ON Semiconductor NXV08B800DT1
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NXV08B800DT1
1807-NXV08B800DT1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
17-PowerDIP Module (1.390, 35.30mm)
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IC
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NXV08B800DT1详情
ON Semiconductor NXV08B800DT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
17-PowerDIP Module (1.390, 35.30mm)
供应商器件包装
APM17-MDC
Package
Bulk
Base Product Number
NXV08
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
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厂商
onsemi
Product Status
活跃
操作温度
-40°C ~ 125°C (TA)
系列
Automotive, AEC-Q101
技术
MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大
-
Rds On(Max)@Id,Vgs
0.46mOhm @ 160A, 12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.6V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
30150pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
502nC @ 12V
漏源电压 (Vdss)
80V
场效应管特性
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NXV08B800DT1拓展信息








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