ON Semiconductor NZT6714

生命周期状态

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工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-3

引脚数

4

质量

188mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

1W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

2A

基本部件号

NZT6714

元素配置

Single

功率耗散

1W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 1A 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅