ON Semiconductor PZTA42

生命周期状态

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触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

质量

188.014037mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

300V

最大功率耗散

1W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

500mA

频率

50MHz

基本部件号

PZTA42

电压

300V

元素配置

Single

电流

500mA

功率耗散

1W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 30mA 10V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 2mA, 20mA

转换频率

50MHz

最大击穿电压

300V

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

1.7mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅