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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.617788
10
¥9.073388
100
¥8.559798
500
¥8.075279
1000
¥7.618187
ON Semiconductor SFT1202-TL-E
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- 对比
SFT1202-TL-E
1807-SFT1202-TL-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

Bipolar Transistor, 150V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SFT1202-TL-E详情
ON Semiconductor SFT1202-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
150V
Number of Elements
1
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
1W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
150V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 5V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
165mV @ 100mA, 1A
转换频率
140MHz
频率转换
140MHz
集电极基极电压(VCBO)
180V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SFT1202-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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