ON Semiconductor SGH80N60UFDTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1V

Test Conditions

300V, 40A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

195W

额定电流

28A

元素配置

Single

功率耗散

195W

输入类型

Standard

上升时间

50ns

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

80A

反向恢复时间

95ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.6V @ 15V, 40A

闸门收费

175nC

集极脉冲电流（Icm）

220A

Td（开/关）@25°C

23ns/90ns

开关能量

570μJ (on), 590μJ (off)

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅