ON Semiconductor SGP10N60RUFDTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

13 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2V

Number of Elements

1

Test Conditions

300V, 10A, 20 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

208W

额定电流

10A

基本部件号

SG*10N60

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

功率耗散

75W

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

16A

反向恢复时间

42 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大击穿电压

600V

接通时间

49 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.8V @ 15V, 10A

关断时间-标准值（toff)

284 ns

闸门收费

30nC

集极脉冲电流（Icm）

30A

Td（开/关）@25°C

15ns/36ns

开关能量

141μJ (on), 215μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

8V

最大下降时间 (tf)

220ns

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅