ON Semiconductor SGP13N60UFDTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1V

Number of Elements

1

Test Conditions

300V, 6.5A, 50 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

60W

额定电流

6.5A

基本部件号

SG*13N60

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

功率耗散

60W

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

13A

反向恢复时间

37 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

62 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.6V @ 15V, 6.5A

关断时间-标准值（toff)

253 ns

闸门收费

25nC

集极脉冲电流（Icm）

52A

Td（开/关）@25°C

20ns/70ns

开关能量

85μJ (on), 95μJ (off)

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅