ON Semiconductor SGP23N60UFTU
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SGP23N60UFTU
1807-SGP23N60UFTU
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Rail
--最小包装量--
SGP23N60UFTU详情
ON Semiconductor SGP23N60UFTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
1.8g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1V
Number of Elements
1
Test Conditions
300V, 12A, 23 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
60 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
100W
额定电流
23A
基本部件号
SG*23N60
元素配置
Single
功率耗散
100W
输入类型
Standard
接通延迟时间
17 ns
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
23A
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
55 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.6V @ 15V, 12A
连续集电极电流
23A
关断时间-标准值(toff)
320 ns
集极脉冲电流(Icm)
92A
Td(开/关)@25°C
17ns/60ns
开关能量
115μJ (on), 135μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
7.5V
最大下降时间 (tf)
280ns
高度
9.4mm
长度
10.1mm
宽度
4.7mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SGP23N60UFTU拓展信息
ON Semiconductor
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