ON Semiconductor SPZT751T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

质量

188.014037mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

800mW

引脚数量

4

元素配置

Single

增益带宽积

75MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

75 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

转换频率

75MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅