MTM684100LBF
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Panasonic Electronic Components MTM684100LBF

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型号

MTM684100LBF

utmel 编号

1850-MTM684100LBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SMD, Flat Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Panasonic MTM684100LBF Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.8 A, 12 V, 8-pin WMini8-F1

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MTM684100LBF
MTM684100LBF Panasonic Electronic Components Panasonic MTM684100LBF Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.8 A, 12 V, 8-pin WMini8-F1

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MTM684100LBF详情

Panasonic Electronic Components MTM684100LBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SMD, Flat Lead

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    4.8A

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    235 ns

  • 操作温度

    -40°C~85°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2008

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    1W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    MTM68410

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 功率耗散

    1W

  • 接通延迟时间

    8 ns

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    42m Ω @ 1A, 4V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1200pF @ 10V

  • 上升时间

    11ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    12V

  • 下降时间(典型值)

    85 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -4.8A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.042Ohm

  • 漏源击穿电压

    -12V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • 栅源电压

    -650 mV

  • 高度

    830μm

  • 长度

    2.9mm

  • 宽度

    2.4mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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右边的3个型号有着和Panasonic Electronic Components & MTM684100LBF相似的参数规格。

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