Panasonic Electronic Components MTM78E2B0LBF

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

2 μs

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

700mW

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

MTM78E2B

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700mW

接通延迟时间

200 ns

功率 - 最大

150mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 2A, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1100pF @ 10V

上升时间

500ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

1.5 μs

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.025Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

栅源电压

850 mV

高度

600μm

长度

2mm

宽度

1.7mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准