Renesas Electronics America 2SK1317-E

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

PRSS0004ZE-A

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

1999

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

100W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12 Ω @ 2A, 15V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

990pF @ 10V

上升时间

70ns

漏源电压 (Vdss)

1500V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

2.5A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7A

栅源电压

4 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅