FPD200P70
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RF Micro Devices Inc FPD200P70

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型号

FPD200P70

utmel 编号

2049-FPD200P70

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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FPD200P70
FPD200P70 RF Micro Devices Inc Description: RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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FPD200P70详情

RF Micro Devices Inc FPD200P70重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    砷化镓

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

    有

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    RF MICRO DEVICES INC

  • Package Description

    DISK BUTTON, O-CRDB-F4

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Package Shape

    ROUND

  • Package Style

    磁盘按钮

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    有

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    GOLD

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 端子位置

    RADIAL

  • 终端形式

    FLAT

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    O-CRDB-F4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    8 V

  • 场效应管技术

    高电子迁移率

  • 最高频段

    K带

  • 环境耗散-最大值

    0.47 W

  • 饱和电流

    1

  • 功率增益-最小值(Gp)

    9 dB

0个相似型号

技术文档: RF Micro Devices Inc FPD200P70.

FPD200P70拓展信息

SHF-1000
SHF-1000

RF Micro Devices Inc

FPD2250SOT89CESR
FPD2250SOT89CESR

RF Micro Devices Inc

FPD3000SOT89
FPD3000SOT89

RF Micro Devices Inc

FPD750SOT343E
FPD750SOT343E

RF Micro Devices Inc

FPD2250SOT89
FPD2250SOT89

RF Micro Devices Inc

RF7846TR13
RF7846TR13

RF Micro Devices Inc

SPF-2086
SPF-2086

RF Micro Devices Inc

SPF-2000
SPF-2000

RF Micro Devices Inc

FPD1050
FPD1050

RF Micro Devices Inc

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