ROHM Semiconductor 2SB1184TLQ

触点镀层

Copper, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

1

hFEMin

82

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn98Cu2)

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

1W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-3A

频率

70MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SB1184

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

1W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

70MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA 3V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 200mA, 2A

转换频率

70MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-3A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅