ROHM Semiconductor 2SD2118TLQ

触点镀层

Copper, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Number of Elements

1

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1998

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn98Cu2)

HTS代码

8541.29.00.75

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

10W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SD2118

引脚数量

3

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 100mA, 4A

转换频率

150MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅