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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.4612
10
¥3.265283
100
¥3.080455
500
¥2.90609
1000
¥2.741594
ROHM Semiconductor 2SC5103TLQ
- 收藏
- 对比
2SC5103TLQ
2078-2SC5103TLQ
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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TRANS NPN 60V 5A SOT-428
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SC5103TLQ详情
ROHM Semiconductor 2SC5103TLQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Copper, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Number of Elements
1
hFEMin
120
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1997
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn98Cu2)
HTS代码
8541.29.00.75
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
1W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
5A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
2SC5103
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
功率耗散
1W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
80MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 1A 2V
最大集极截止电流
10μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 4A
转换频率
120MHz
最大击穿电压
60V
频率转换
120MHz
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
5A
关断时间-最大值(toff)
1800ns
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SC5103TLQ拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







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