ROHM Semiconductor 2SCR543DTL

工厂交货时间

52 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

130mV

Current-Collector (Ic) (Max)

4A

Number of Elements

1

hFEMin

180

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn98Cu2)

最大功率耗散

10W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350mV

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 100mA 3V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

350mV @ 100mA, 2A

转换频率

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant