ON Semiconductor MMBT2132T3G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-74, SOT-457

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

150

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

342mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

700mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

665mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

700mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 100mA 3V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 70mA, 700mA

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅