ROHM Semiconductor 2SD2679T100

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

最大功率耗散

500mW

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

500mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

370mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

270 @ 200mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

370mV @ 75mA, 1.5A

转换频率

280MHz

频率转换

280MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant