ROHM Semiconductor 2SCR512RTL

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-96

引脚数

96

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2015

JESD-609代码

e1

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

功率 - 最大

1W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 35mA, 700mA

转换频率

320MHz

最大击穿电压

30V

频率转换

320MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅