ROHM Semiconductor EMD29T2R
- 收藏
- 对比
EMD29T2R
2078-EMD29T2R
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
--最小包装量--
EMD29T2R详情
ROHM Semiconductor EMD29T2R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA 500mA
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大功率耗散
120mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*MD29
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA 5V / 140 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V 12V
转换频率
250MHz
最大击穿电压
12V
频率转换
250MHz 260MHz
电阻基(R1)
1k Ω, 10k Ω
电阻-发射极基极(R2)
10k Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
EMD29T2R拓展信息









哦! 它是空的。