ROHM Semiconductor EMF17T2R
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EMF17T2R
2078-EMF17T2R
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
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TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
--最小包装量--
EMF17T2R详情
ROHM Semiconductor EMF17T2R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA 150mA
Number of Elements
2
hFEMin
20
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大功率耗散
150mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
150mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 20mA 5V / 180 @ 1mA 6V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz 140MHz
电阻基(R1)
2.2k Ω
电阻-发射极基极(R2)
2.2k Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
EMF17T2R拓展信息







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