ROHM Semiconductor IMX9T110

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-74, SOT-457

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

180mV

Number of Elements

2

hFEMin

560

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2000

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*MX9

引脚数量

6

极性

NPN

元素配置

Dual

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

350MHz

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

560 @ 10mA 3V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 20mA, 500mA

转换频率

350MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

25V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

连续集电极电流

500mA

VCEsat-最大值

0.4 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅