QSX4TR
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ROHM Semiconductor QSX4TR

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型号

QSX4TR

utmel 编号

2078-QSX4TR

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 30V 2A TSMT6

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QSX4TR
QSX4TR ROHM Semiconductor TRANS NPN 30V 2A TSMT6

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QSX4TR详情

ROHM Semiconductor QSX4TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    30V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    2A

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    270

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    1.25W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 基本部件号

    QSX

  • 引脚数量

    6

  • 元素配置

    Single

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    280MHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    30V

  • 最大集电极电流

    2A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    270 @ 200mA 2V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    370mV @ 75mA, 1.5A

  • 转换频率

    280MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor QSX4TR.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & QSX4TR相似的参数规格。

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QSX4TR拓展信息

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