ROHM Semiconductor RGTH60TS65DGC11

工厂交货时间

17 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 30A, 10 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

194W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

194W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

58A

反向恢复时间

58 ns

接通时间

67 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 30A

连续集电极电流

30A

关断时间-标准值（toff)

179 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

58nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

27ns/105ns

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant