ROHM Semiconductor UMF8NTR
- 收藏
- 对比
UMF8NTR
2078-UMF8NTR
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
--最小包装量--
UMF8NTR详情
ROHM Semiconductor UMF8NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15V
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA 500mA
Number of Elements
2
hFEMin
68
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大功率耗散
150mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
最大输出电流
30mA
极性
NPN, PNP
通道数量
2
最大电源电压
50V
元素配置
Dual
最小输入电压
-10V
晶体管应用
SWITCHING
最大输入电压
40V
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
68 @ 5mA 5V / 270 @ 10mA 2V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V 15V
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
47k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
UMF8NTR拓展信息









哦! 它是空的。