ROHM Semiconductor US6X7TR
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US6X7TR
2078-US6X7TR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-SMD, Flat Leads
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NPN NPN DRIVER TRANSISTOR
--最小包装量--
US6X7TR详情
ROHM Semiconductor US6X7TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
1.5A
Number of Elements
2
已出版
2007
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
最大功率耗散
1W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
功率 - 最大
400mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
12V
最大集电极电流
1.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
270 @ 200mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
200mV @ 25mA, 500mA
转换频率
400MHz
频率转换
400MHz
集电极基极电压(VCBO)
15V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
US6X7TR拓展信息








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