K4E640412C-TL60详情
Samsung K4E640412C-TL60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
32
终端数量
32
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TSOP2, TSOP32,.46
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Part Package Code
TSOP2
Risk Rank
5.92
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
TSOP2
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
16777216 words
Manufacturer Part Number
K4E640412C-TL60
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
60 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Equivalence Code
TSOP32,.46
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
16000000
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.1 mA
组织结构
16MX4
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.0002 A
记忆密度
67108864 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
EDO DRAM
刷新周期
4096
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
自我刷新
YES
长度
20.95 mm
宽度
10.16 mm
K4E640412C-TL60拓展信息
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
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Samsung
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Samsung
Samsung Semiconductor








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