Samsung K4H1G0838M-TCB3

表面安装

YES

引脚数

66

终端数量

66

RoHS

Compliant

Package Description

TSSOP, TSSOP66,.46

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

Number of Words Code

128000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSSOP66,.46

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.7 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

K4H1G0838M-TCB3

Clock Frequency-Max (fCLK)

133 MHz

Number of Words

134217728 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

TSSOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.92

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

子类别

DRAMs

技术

CMOS

电压 - 供电

2.5 V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

端子间距

0.635 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G66

资历状况

不合格

电源

2.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电流-最大值

0.43 mA

访问时间

700 ps

数据总线宽度

8 b

组织结构

128MX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

地址总线宽度

16 b

密度

1 Gb

待机电流-最大值

0.006 A

记忆密度

1073741824 bit

最高频率

333 MHz

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

2,4,8

交错突发长度

2,4,8

辐射硬化

无