Samsung K4H511638D-UCB3

表面安装

YES

终端数量

66

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

Moisture Sensitivity Levels

2

Number of Words Code

32000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSSOP66,.46

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.7 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

K4H511638D-UCB3

Clock Frequency-Max (fCLK)

166 MHz

Number of Words

33554432 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

TSSOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.82

JESD-609代码

e6

无铅代码

有

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn97Bi3)

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

端子间距

0.635 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G66

资历状况

不合格

电源

2.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电流-最大值

0.38 mA

组织结构

32MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

536870912 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

2,4,8

交错突发长度

2,4,8