K9F1G08U0DSCB0000详情
Samsung K9F1G08U0DSCB0000重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
48
终端数量
48
Current - Supply (Nom)
35 mA
RoHS
Compliant
Package Description
12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
128000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
K9F1G08U0D-SCB0000
Number of Words
134217728 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TSOP1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
Part Package Code
TSOP1
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
SLC NAND类型
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
附加功能
CONTAINS ADDITIONAL 32M BIT NAND FLASH
HTS代码
8542.32.00.51
技术
CMOS
电压 - 供电
3.3 V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G48
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
128MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
地址总线宽度
27 b
密度
1 Gb
记忆密度
1073741824 bit
并行/串行
PARALLEL
同步/异步
Asynchronous
字长
8 b
内存IC类型
FLASH
编程电压
2.7 V
电压 - 供电 (最大值)
3.6 V
电压 - 供电 (最小值)
2.7 V
宽度
12 mm
长度
18.4 mm
辐射硬化
无
K9F1G08U0DSCB0000拓展信息
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung Semiconductor








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