Samsung Semiconductor K4B2G0446C-HCF8
- 收藏
- 对比
K4B2G0446C-HCF8
2107-K4B2G0446C-HCF8
存储器
--
大陆
立即发货

DDR DRAM, 512MX4, CMOS, PBGA78,
1最小包装量--
K4B2G0446C-HCF8详情
Samsung Semiconductor K4B2G0446C-HCF8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
78
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description
FBGA, BGA78,9X13,32
Clock Frequency-Max (fCLK)
533 MHz
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Package Shape
RECTANGULAR
Package Equivalence Code
BGA78,9X13,32
Package Code
FBGA
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
85 °C
Number of Words Code
512000000
Number of Words
536870912 words
Moisture Sensitivity Levels
3
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B78
资历状况
不合格
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.16 mA
组织结构
512MX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.012 A
记忆密度
2147483648 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR3 DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
8
交错突发长度
8
K4B2G0446C-HCF8拓展信息
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung Semiconductor







哦! 它是空的。