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Samsung Semiconductor K4B4G0846D-BCK0000
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K4B4G0846D-BCK0000
2107-K4B4G0846D-BCK0000
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K4B4G0846D-BCK0000详情
Samsung Semiconductor K4B4G0846D-BCK0000重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
EU RoHS
供应商未确认
ECCN (US)
EAR99
Automotive
无
PPAP
无
DRAM Type
DDR3 SDRAM
Chip Density (bit)
4G
Number of Internal Banks
8
Number of Words per Bank
64M
Number of Bits/Word (bit)
8
Data Bus Width (bit)
8
Minimum Operating Supply Voltage (V)
1.425
Typical Operating Supply Voltage (V)
1.5
Maximum Operating Supply Voltage (V)
1.575
RoHS
Non-Compliant
零件状态
Obsolete
组织结构
512Mx8
K4B4G0846D-BCK0000拓展信息
Samsung
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