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Samsung Semiconductor K4B8G1646D-MMMA0CV
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K4B8G1646D-MMMA0CV
2107-K4B8G1646D-MMMA0CV
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K4B8G1646D-MMMA0CV详情
Samsung Semiconductor K4B8G1646D-MMMA0CV重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
96
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Automotive
无
PPAP
无
DRAM Type
DDR3L SDRAM
Chip Density (bit)
8G
Number of Internal Banks
8
Number of Words per Bank
64M
Number of Bits/Word (bit)
16
Data Bus Width (bit)
16
Minimum Operating Supply Voltage (V)
1.283|1.425
Typical Operating Supply Voltage (V)
1.35|1.5
Maximum Operating Supply Voltage (V)
1.45|1.575
Mounting
表面贴装
Package Width
7.5
Package Length
13.3
PCB changed
96
Supplier Package
FBGA
零件状态
Obsolete
组织结构
512Mx16
K4B8G1646D-MMMA0CV拓展信息
Samsung
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Samsung Semiconductor
公司资质
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